SRAM存儲卡。
RAM容量：2MB。輸入輸出點數(shù)：256點。
程序容量：8 k步。
處理速度：0.2 μs。
內(nèi)置通信口：RS232*1。
不斷超越，勇攀Q系列巔峰。
強化安全功能。
可設(shè)定最長32字符的文件密碼。
除了英文字母、數(shù)字以外，還可使用特殊字符，
進一步增強了密碼的安全性。
此外，僅允許預(yù)先注冊過的設(shè)備訪問CPU，
從而攔截了非授權(quán)用戶的非法訪問Q00JCPU-S8-SET
因此可防止重要程序資產(chǎn)的流出，保護知識產(chǎn)權(quán)。
CPU模塊擴展標準RAM（最大8MB）。
可與SD存儲卡同時使用。
可連續(xù)訪問文件寄存器。三相4線式。
測量電路數(shù)：1個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視最小值和最大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量。
在一個插槽中使用3相3線式產(chǎn)品最多可測量4個電路，
使用3相4線式產(chǎn)品最多可測量3個電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。輸入：2通道。
500/200/100/10kpps。
計數(shù)器輸入信號：DC5/12/24V。
外部輸入：DC5/12/24V。
統(tǒng)一輸出：晶體管(漏型)。
DC12/24V。
0.5A/點。
2A公共端。
40針連接器。輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出軟元件點數(shù)：8192點。
程序容量：30K步。
基本運處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：120KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲卡I/F：SD存儲卡、擴展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準確獲取高速信號，為裝置的更更加高精度化作出貢獻。
通過多CPU進行高速、高精度機器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通通信（周期為0.88ms）的并列處理，實現(xiàn)高速控制。
多CPU間高速通信周期與運動控制同步，因此可實現(xiàn)運算效率最大化。
此外，最新的運動控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、高精度的機器控制。