輸入點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
輸入電壓和電流：6mA，24VDC。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)e-CON連接器輸入從站模塊。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)CRT1-ID32S
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能e-CON連接器輸入從站模塊。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程e-CON連接器輸入從站模塊。40點(diǎn)輸入輸出型。
電源：AC電源 。
輸出形式：繼電器。
輸入：24點(diǎn)。
輸出：16點(diǎn)。
高速計(jì)數(shù)器能方便地測(cè)量高速運(yùn)動(dòng)的加工件。
擴(kuò)展能力增強(qiáng)，最大到12ch的模擬量。
帶高速掃描和高速中斷的高速處理。
可方便地與OMRON的可編程程序終端（PT）相連接，為機(jī)器操作提供一個(gè)可視化界面原裝CRT1-ID32S。
A/D，D/A精度大幅度提高，分辨率為1/6000。
可進(jìn)行分散控。回路數(shù)：2回路。
溫度傳感器輸入：鉑電阻輸入（JPt100、Pt100）。
控制輸出：加熱 ：電壓輸出（脈沖） 冷卻 ：集電極開路NPN輸出（脈沖）。
熱/冷溫度控制單元用一個(gè)單元實(shí)現(xiàn)二個(gè)回路的冷卻/加熱控制原裝CRT1-ID32S。
熱/冷溫度控制單元用所連接的溫度傳感器（熱電偶或熱電阻）測(cè)量物體的溫度，
并按預(yù)置的控制模式進(jìn)行加熱和冷卻。
采用先進(jìn)的PID和自適應(yīng)性能獲得穩(wěn)定的溫度控制。
可以選擇ON/OFF控制。
一個(gè)單元有二個(gè)熱/冷控制回路。
加熱器燒斷可利用最小2.5A電流差快速檢測(cè)，
加速器燒斷檢測(cè)設(shè)定范圍0.1~49.9A，有助于故障快速排除原裝CRT1-ID32S。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
最大開關(guān)容量：2A.AC250V。
最小開關(guān)容量：10mA DC5V。
響應(yīng)時(shí)間(ON延遲)：最大10ms。
響應(yīng)時(shí)間(OFF延遲)：最大5ms。
外部連接：端子臺(tái)。
輸出公共端：16。
內(nèi)部電流消耗(DC5V)：最大850mA。
雙倍的I/O點(diǎn)數(shù)和程序容量，提供足夠的控制能力。
與CQM1相比，程序容量、DM容量和I/O點(diǎn)數(shù)都增加了一倍。
增加程序和DM容量以滿足更復(fù)雜的控制程序，
以及要求更高功能的數(shù)據(jù)處理的需要。
增加I/O數(shù)來支持大型系統(tǒng)和專用I/O單元。回路數(shù)：2回路、帶加熱器斷線報(bào)警。
溫度傳感器輸入：熱電偶輸入（R、S、K、J、T、B、L）。
控制輸出：集電極開路NPN輸出（（脈沖）sysmac c500 omron。
單個(gè)單元可執(zhí)行4個(gè)溫度控制器的所有功能。
具有熱熱電偶或鉑電阻直接輸入的高功能I/O單單元、具有2自由度的PID控制與集電極開路輸出歐姆龍。
具有2或4個(gè)控控制回路或ON/OFF控制的內(nèi)置PID控制。
7種類型的熱電偶或鉑電阻的直接輸入。sysmac c500 omron。
500ms采用周期。
CPU單元的運(yùn)行/停止控制。
未受限CPU單元周期時(shí)間。
加熱器斷線檢測(cè)。
自動(dòng)調(diào)整(AT)功能。
CRT1-ID32S操作手冊(cè)/說明書/選型樣本下載地址: /searchDownload.html?Search=CRT1-ID32S&select=5